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ISG6106QA SolidGaN™ 功率芯片。这款革命性产品将 700V增强型(E-Mode) GaN FET、智能门极驱动器、高压线性稳压器及无损电流检测四大核心功能集成于单芯片,彻底消除了传统GaN方案的多颗外围芯片需求。凭借其 9-80V宽压供电、115μA超低静态功耗、200V/ns超高抗扰及2MHz极速开关能力,ISG6106QA为PD快充、服务器电源、太阳能微逆等高密度能源转换应用树立了性能与集成度的全新标杆。
ISG6106QA通过颠覆性集成解决GaN应用核心痛点:
全集成SolidGaN™引擎:
700V/100mΩ E-Mode GaN FET: 提供卓越的开关性能与导通特性。
智能可编程门极驱动: 两级开通控制(可调第一级斜率 + 延迟第二级增强),实现高频、高效、低EMI的黄金三角。
高压线性稳压器(80V输入): 输出精准稳定的6.5V栅压,彻底省去外部LDO。
集成无损电流检测: 精准消除外部检流电阻,显著提升系统效率。
极简设计,性能跃升:
宽压供电(9V-80V): 适应复杂供电环境,简化电源架构。
无损电流检测: 省电阻、提效率、降成本三位一体。
115μA超低静态电流 + 自动待机: 轻松满足全球最严苛能效标准(如CoC, DoE, ErP)。
5V LDO输出: 直接为数字隔离器供电,进一步简化系统。
极致性能,稳定可靠:
超快开关速度: 传播延迟低至25ns,支持2MHz高频运行,助力超小磁性元件设计。
200V/ns超高dv/dt抗扰: 卓越的抗干扰能力,保障系统在恶劣环境下稳定工作。
零反向恢复电荷(Qrr=0): 彻底消除二极管反向恢复损耗,提升效率与可靠性。
全面保护机制: 集成输入欠压(UVLO)、过流(OCP)、过温(OTP)保护,构建安全防线。
特性类别 | ISG6106QA 核心优势 | 用户价值 |
---|---|---|
核心集成 | ▶ 内置700V/100mΩ GaN + 智能驱动 + 80V稳压器 + 无损检流 | BOM极简,系统成本骤降,设计周期缩短 |
供电与能效 | ▶ 9-80V宽压输入 (省LDO) ▶ 无损电流检测 (省检流电阻) ▶ 115μA静态电流 + 自动待机 | 适应性强,效率显著提升,待机功耗行业领先 |
开关性能 | ▶ 可编程开通斜率 ▶ 2MHz工作频率 ▶ 25ns传播延迟 ▶ 200V/ns dv/dt抗扰 | 高频高效设计,极致功率密度,超强系统稳定性 |
独特功能 | ▶ 集成5V LDO (供数字隔离器) ▶ 零反向恢复电荷 (Qrr=0) | 简化外围设计,消除恢复损耗,提升效率与可靠性 |
保护机制 | ▶ 内置UVLO, OCP, OTP | 系统安全无忧,减少外围保护电路 |
封装 | ▶ OFN 6x8mm, 0.85mm超薄 | 超高功率密度设计,兼容紧凑空间 |
ISG6106QA的全集成与高性能特性,使其成为以下高要求应用的理想核心动力:
超高效PD快充适配器: 实现极致小巧体积与超高效率(尤其20W+ PD3.1快充)。
高端服务器/通信电源: 满足CRPS, ORV3等标准的高密度、高效AC-DC或DC-DC模块。
太阳能微逆变器/优化器: 提升能源转换效率,缩小体积,降低系统成本。
工业AC-DC/DC-DC电源: 适用于PLC、工控设备等高可靠性场景。
高端LED驱动电源: 满足高效率、长寿命、无频闪需求。
先进拓扑电源:
功率因数校正 (PFC)
准谐振反激 (QR Flyback)
有源钳位反激 (ACF)
半桥/全桥LLC谐振变换器
颠覆性集成: 单芯片集成GaN+驱动+稳压+无损检流,革命性减少外围元件数量与系统成本。
性能王者: 200V/ns抗扰能力、2MHz开关频率、25ns延迟、零Qrr,定义GaN性能新高度。
设计自由: 9-80V宽压供电省去LDO,集成5V LDO支持数字隔离,可编程斜率优化EMI/效率。
极简BOM: 无损检流省去昂贵电阻,超高集成度大幅降低布局复杂度。
能效标杆: 115μA超低静态电流与自动待机模式,轻松征服全球能效法规。
可靠保障: 内置多重保护+GaN天然高可靠性,确保系统长效稳定运行。
封装优势: 紧凑型OFN封装助力超高功率密度设计。
英诺赛科ISG6106QA SolidGaN™芯片的发布,标志着功率半导体集成化与智能化迈入全新纪元。它不仅仅是一颗GaN器件,更是一个高度优化的“功率系统级芯片”(Power SoC)。通过将关键功能模块完美融合,ISG6106QA解决了高密度电源设计的核心挑战——在追求极致效率、功率密度和可靠性的同时,大幅降低系统复杂度和成本。它为工程师提供了征服下一代高效能源转换应用的终极武器,是您在高性能电源市场中赢得竞争优势的不二之选。
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